在能源問題日益突出的現代，以IGBT為代表的功率半導體器件以其優良的能效轉換性能廣發應用于功率電子領域。正確的IGBT測試技術，不僅能準確的測量IGBT各項電氣指標，而且可以盡可能降低IGBT對整體電路的影響。常用的IGBT測量方法為：雙脈沖測試方法，其通過對比不同的IGBT的參數，例如同一品牌的不同系 列的產品的參數，或者是不同品牌的IGBT的性能，獲取IGBT在開關過程的主要參數，以評估Rgon及 Rgoff的數值是否合適，評估是否需要配吸收電路等，終考量IGBT在變換器中工作時的實際表現。例如 二極管的反向恢復電流是否合適，關斷時的電壓尖 峰是否合適，開關過程是否有不合適的震蕩等。
在主流的雙脈沖測試平臺中，用高壓隔離探頭取Vce電壓，用羅氏線圈電流探頭取Ic，用普通探頭測量Vge信號。實驗硬件包括：1. 高壓電源 2. 電容組 3. 疊層直流母排 4. 負載電感(可以自己繞制，不要飽和即可) 5. 被測IGBT及驅動電路 6. 示波器(4通道，高帶寬) 7. 高壓差分電壓探頭 8. 羅氏線圈電流探頭 9. 可編程信號發生器或簡易信號發生裝置(發出一組雙 脈沖信號)。
1. PEMUK的CWT Ultra Mini系列羅氏線圈，線圈采用非常細而且柔性的材料，甚至可以輕易地穿過IGBT的管腳。測量范圍從測量范圍：300mA～數MA;，且頻率高達16MHz是IGBT測試和分析的較佳傳感器。
2. Verivolt電壓互感器，其滿量程的測量范圍從5V到5000V，且全范圍內帶寬50KHz，總體測量精度為0.2%。